German wykorzystywany dotąd obok krzemu znacznie mu pod wieloma względami ustępuje. Wykonane z niego podstawy półprzewodnikowe mają ze względu na mniejszą szerokość pasma zabronionego znacznie większe prądy sycenia, niższe napięcie przebicia oraz znacznie niższą tolerowaną temperaturę pracy. Nie daje się podobnie uzyskać na nim trwałych warstw dielektrycznych sporządzanych w wyniku reakcji tlenu lub azotu z germanem, dyfuzja akceptorów jest również bardziej nieliczna i praktycznie biorąc niemożliwa do wykorzystania. Zaletą jego jednak jest większa mobilność nośników, dzięki czemu łatwiejsze jest skonstuowanie tranzystorów mikrofalowych w service manuals. Nic też dziwnego, że niedawno obserwuje się malenie wytwarzania podstaw germanowych.
Analiza właściwości różnych produktów półprzewodnikowych wskazuje, że arsenek galowy jest najbardziej przydatny ze względu na wspomniane wyżej właściwości, praca w wyższych temperaturach, występowanie w postaci półizolacyjnej, możliwość sporządzenie półizolacyjnych obszarów przez bombardowanie jonowe liderującego arsenku galu, co stwarza możliwość segregowania poszczególnych elementów względem siebie, większa ruchliwość nośników elektronowych, dzięki czemu w tranzystorach polowych realizuje się wartości częstotliwości granicznych w service manuals. W arsenku galowym monitoruje się dodatkowo zjawisko promieniowania rekombinacyjego, zdarzenie laserowe, które umożliwiają kompleksowe rozstrzyganie wielu zadań w jednej płytce materiałowej. Z tego względu arsenek galowy ma wiele cech korzystnych dla zastosowania go w układach scalonych.
Uniwersalnie używanym towarem na składniki półprzewodnikowe jest współcześnie krzem, którego fundamentalną zaletą jest niewielka wartość prądów nasycenia składników półprzewodnikowych, olbrzymia wartość napięcia przebicia, duże moce strat ze względu na wyższą maksymalną temperaturę złącza niż w przypadku germanu oraz korzystne właściwości technologiczne, porównywalne stałe dyfuzji donorów i akceptorów oraz banalność wytwarzania trwałych warstw dialektycznych ochronnych, stabilizujących cechy powierzchniowe krzemu w service manuals. Ta ostatnia unikalna cecha wysuwa krzem na czołowe miejsce spośród znanych dotychczas towarów półprzewodnikowych. Arsenek galowy jest korzystniejszy ze względu na bardzo małe wartości prądu nasycenia, mniejsze, co najmniej o jeden rząd niż dla krzemu, cechuje go dużo większa mobilność przy podobnej czystości monokryształu, jest on jednak materiałem technologicznie nieopanowanym, silnie niejednorodnym w poszczególnych kryształach i o bardzo silnie przyjmujących właściwościach pojedynczych kryształów.
Uporządkowując składniki półprzewodnikowe można używać kilka metod podziału, spośród których najistotniejsze są, podział według stopnia ich przydatności w strukturach elektronicznych i energetycznych, co wiąże się z ceną wyprodukowanej masy towarowej i podział według zdarzeń fizycznych, które wykorzystano w celu osiągnięcia szczegółowych właściwości w service manuals. Klasyfikacja według pożyteczności układowej wynajduje odpowiednik w stopniu zaciekawienia użytkownika daną grupą składników, a więc jej podażą.